收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPU18P06P
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPU18P06P

Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-251
参考包装数量:75
参考包装形式:管件

与SPU18P06P相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPU30N03S2-08 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 30A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU30N03S2L-10 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 30V 30A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPU30P06P Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 60V 30A IPAK FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU1410LR5H-QB Knowles MIC SISONIC ULTRAMINI MAX RF ...
SPU11N10 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 100V 10.5A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU09P06PL Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET P-CH 60V 9.7A TO-251 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SPU18P06P参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):18.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):130 毫欧 @ 13.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):860pF @ 25V
功率 - 最大值:80W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别