收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPU03N60C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPU03N60C3

Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-251
参考包装数量:1500
参考包装形式:管件

与SPU03N60C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPU03N60S5 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU0409HD5H-PB Knowles 6000 MIC MEMS ANALOG OMNI -42DB ...
SPU0409LE5H-QB Knowles 4800 MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB ...
SPU02N60S5 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU02N60C3 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPU01N60C3 Infineon Technologies TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-251 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SPU03N60C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 135µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:38W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别