收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPS02N60C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPS02N60C3

Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
参考包装数量:1500
参考包装形式:管件

与SPS02N60C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPS03N60C3 Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 650V 3.2A TO251-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPS04N60C3 Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 650V 4.5A TO251-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPS-21T-250 JST Sales America Inc CONN FEMALE UNINSL 18-22AWG .250 ...
SPS-01T-187 JST Sales America Inc CONN FEMALE UNINSL 20-26AWG .187 ...
SPS01N60C3 Infineon Technologies TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA MOSFET N-CH 650V 800MA TO251-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
S-PS Panasonic Electric Works 1190 ACCY RELAY SOCKET FOR S SERIES ...

SPS02N60C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):1.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 80µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):200pF @ 25V
功率 - 最大值:25W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别