型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPP18P06P |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220AB 参考包装数量:500 参考包装形式:管件 |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SPP18P06PH | Infineon Technologies | TO-220-3 | 354 | MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-220 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPP20N60C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1565 | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPP20N60CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 | 677 | MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPP17N80C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 96 | MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPP16N50C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 560V 16A TO-220AB | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPP15P10PLH | Infineon Technologies | TO-220-3 | 195 | MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |