| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPP11N60S5 |
Infineon Technologies | TO-220-3 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPP11N65C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPP11N80C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 416 | MOSFET N-CH 800V 11A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SPP12N50C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPP11N60CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPP11N60C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 | 1941 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SPP10N10L | Infineon Technologies | TO-220-3 | MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
