收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPP100N08S2-07
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPP100N08S2-07

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 75V 100A TO-220
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPP100N08S2-07相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPP100N08S2L-07 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 75V 100A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPP10N10 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP10N10L Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 10.3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPP100N06S2L-05 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPP100N06S2-05 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP100N04S2L-03 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SPP100N08S2-07参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):75V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.1 毫欧 @ 66A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):200nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):6020pF @ 25V
功率 - 最大值:300W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别