收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPP07N60S5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPP07N60S5

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPP07N60S5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPP07N65C3 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP08N50C3 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 560V 7.6A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP08N80C3 Infineon Technologies TO-220-3 327 MOSFET N-CH 800V 8A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP07N60CFD Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP07N60C3 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP06N80C3 Infineon Technologies TO-220-3 896 MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SPP07N60S5参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):7.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):600 毫欧 @ 4.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5.5V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):35nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):970pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别