收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPP06N60C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPP06N60C3

Infineon Technologies TO-220-3 315
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPP06N60C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPP06N80C3 Infineon Technologies TO-220-3 896 MOSFET N-CH 800V 6A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP07N60C3 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP07N60CFD Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP04N80C3 Infineon Technologies TO-220-3 564 MOSFET N-CH 800V 4A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP04N60S5 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP04N60C3 Infineon Technologies TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SPP06N60C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):750 毫欧 @ 3.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 260µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):31nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):620pF @ 25V
功率 - 最大值:74W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别