收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPP03N60C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPP03N60C3

Infineon Technologies TO-220-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 650V 3.2A TO-220AB
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPP03N60C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPP03N60S5 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 3.2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP04N50C3 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 560V 4.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP04N60C3 Infineon Technologies TO-220-3 1000 MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP02N80C3 Infineon Technologies TO-220-3 396 MOSFET N-CH 800V 2A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP02N60S5 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPP02N60C3 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 650V 1.8A TO-220AB FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SPP03N60C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):650V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3.2A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.4 欧姆 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 135µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):17nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:38W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别