收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPI16N50C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPI16N50C3

Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 560V 16A TO-262
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPI16N50C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPI20N60C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPI20N60CFD Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPI20N65C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA 1221 MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPI15N65C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 15A TO262-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPI15N60CFD Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 13.4A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPI15N60C3 Infineon Technologies TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA MOSFET N-CH 650V 15A TO-262 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SPI16N50C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):16A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):280 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 675µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):66nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1600pF @ 25V
功率 - 最大值:34W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别