| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPD50N06S2L-13 |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 55V 50A DPAK 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPD50P03LG | Infineon Technologies | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | MOSFET P-CH 30V 50A TO-252 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPD62-103M | API Delevan Inc | 非标准 | INDUCTOR PWR SHIELDED 10.0UH SMD | 类型：铁氧体芯体 电感：10µH 额定电流：1.4A 电流 - 饱和... | |
| SPD62-104M | API Delevan Inc | 非标准 | INDUCTOR PWR SHIELD 100.0UH SMD | 类型：铁氧体芯体 电感：100µH 额定电流：410mA 电流 - ... | |
| SPD50N03S2L06T | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPD50N03S2L-06G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2500 | MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SPD50N03S2L-06 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 30V 50A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
