收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPD50N03S2-07G
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPD50N03S2-07G

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SPD50N03S2-07G相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPD50N03S2L-06 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD50N03S2L-06G Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 2500 MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD50N03S2L06T Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD50N03S2-07 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 50A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPD480 TPI (Test Products Int) PHASE ROTATION METER ...
SPD42R-823M API Delevan Inc 非标准 5000 INDUCTOR PWR SHIELDED 82UH SMD 类型:铁氧体芯体 电感:82µH 额定电流:200mA 电流 - 饱...

SPD50N03S2-07G参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):7.3 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 85µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):46.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):2170pF @ 25V
功率 - 最大值:136W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别