| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPD30P06PG |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET P-CH 60V 30A TO252-3 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPD35N10 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 100V 35A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD42R-103M | API Delevan Inc | 非标准 | 23000 | INDUCTOR PWR SHIELDED 10UH SMD | 类型：铁氧体芯体 电感：10µH 额定电流：580mA 电流 - 饱... |
| SPD42R-104M | API Delevan Inc | 非标准 | 1262 | INDUCTOR PWR SHIELDED 100UH SMD | 类型：铁氧体芯体 电感：100µH 额定电流：120mA 电流 - ... |
| SPD30P06P | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD30N08S2L-21 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 75V 30A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPD30N08S2-22 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 75V 30A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
