收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPD25N06S2-40
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPD25N06S2-40

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 29A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SPD25N06S2-40相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPD26N06S2L-35 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 30A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD30N03S2L-07 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD30N03S2L-07G Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD22N08S2L-50 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 75V 25A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD18P06PG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO252-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPD18P06P Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 60V 18.6A TO-252 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SPD25N06S2-40参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):29A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):40 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 26µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):710pF @ 25V
功率 - 最大值:68W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别