收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPD14N06S2-80
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPD14N06S2-80

Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与SPD14N06S2-80相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPD15N06S2L-64 Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET N-CH 55V 19A DPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD15P10PG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPD15P10PLG Infineon Technologies TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPD127R-824M API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 820UH SMD 类型:铁氧体芯体 电感:820µH 额定电流:650mA 电流 - ...
SPD127R-823M API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 82UH SMD 类型:铁氧体芯体 电感:82µH 额定电流:1.9A 电流 - 饱和...
SPD127R-684M API Delevan Inc 非标准 INDUCTOR PWR SHIELDED 680UH SMD 类型:铁氧体芯体 电感:680µH 额定电流:700mA 电流 - ...

SPD14N06S2-80参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):17A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 14µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别