型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPD07N60C3 |
Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK 参考包装数量:2500 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SPD07N60C3T | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 650V 7.3A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPD07N60S5 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPD07N60S5T | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 600V 7.3A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPD07N20G | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPD07N20 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPD06N80C3 | Infineon Technologies | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |