| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPD06N60C3 |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 7500 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPD06N80C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 800V 6A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD07N20 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200V 7A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD07N20G | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 200V 7A TO252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD04P10PLG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPD04P10PG | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET P-CH 100V 4A TO252-3 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD04N80C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 800V 4A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
