| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPD02N60S5 |
Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-252 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPD02N80C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 800V 2A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD03N50C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 560V 3.2A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD03N60C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 45136 | MOSFET N-CH 650V 3.2A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SPD02N60C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 650V 1.8A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD02N50C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 560V 1.8A DPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPD01N60C3 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | MOSFET N-CH 650V 0.8A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
