型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPB80N10L |
Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK 参考包装数量:1000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SPB80N10LG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 80A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SPB80P06P | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB80P06PG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 8000 | MOSFET P-CH 60V 80A TO-263 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SPB80N08S2L-07 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... | |
SPB80N08S2-07 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 75V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB80N06S2L-H5 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源... |