收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPB42N03S2L13T
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPB42N03S2L13T

Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SPB42N03S2L13T相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPB47N10 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPB47N10L Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPB70N10L Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 100V 70A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPB42N03S2L-13G Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPB42N03S2L-13 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 30V 42A D2PAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SPB-3924 Bud Industries 3+61 BOX STEEL 2.75X3.25X10.37" GRY ...

SPB42N03S2L13T参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):42A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):12.6 毫欧 @ 21A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 37µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1130pF @ 25V
功率 - 最大值:83W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别