型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPB1 |
Hammond Manufacturing | 0+33 | 询价QQ: |
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简述:PANEL SWING KIT 参考包装数量:1 参考包装形式: |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SPB10045E3 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4,miniBLOC | DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT-227 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大):570mV @ 100A 电流 ... | |
SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB100N03S2-03G | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB08P06PG | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263 | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB08P06P | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET P-CH 60V 8.8A D2PAK | FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SPB07N60S5 | Infineon Technologies | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-263 | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |