| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SPB100N03S203T |
Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 4000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 参考包装数量：1000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| SPB100N03S2L-03 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPB100N03S2L-03G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPB100N03S2L03T | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SPB100N03S2-03G | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPB10045E3 | Microsemi Power Products Group | SOT-227-4，miniBLOC | DIODE SCHOTTKY 45V 100A SOT-227 | 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）：570mV @ 100A 电流 ... |
