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SPA12N50C3

Infineon Technologies TO-220-3 整包 2839
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简述:MOSFET N-CH 560V 11.6A TO220FP
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPA12N50C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPA151M02B Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 150UF 2V 20% SMD 电容:150µF 额定电压:2V 容差:±20% 寿命...
SPA151M02R Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 150UF 2V 20% SMD 电容:150µF 额定电压:2V 容差:±20% 寿命...
SPA151M04B Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 150UF 4V 20% SMD 电容:150µF 额定电压:4V 容差:±20% 寿命...
SPA121M0ER Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 120UF 2.5V 20% SMD 电容:120µF 额定电压:2.5V 容差:±20% ...
SPA121M0EB Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 120UF 2.5V 20% SMD 电容:120µF 额定电压:2.5V 容差:±20% ...
SPA121M06R Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) 0+34000 CAP ALUM 120UF 6.3V 20% SMD 电容:120µF 额定电压:6.3V 容差:±20% ...

SPA12N50C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):560V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):380 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1200pF @ 25V
功率 - 最大值:33W
安装类型:通孔

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