| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SPA11N80C3 |
Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | 81487 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP 参考包装数量：500 参考包装形式：管件 |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SPA121M02B | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 2917（7343 公制） | CAP ALUM 120UF 2V 20% SMD | 电容：120µF 额定电压：2V 容差：±20% 寿命... | |
| SPA121M02R | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 2917（7343 公制） | CAP ALUM 120UF 2V 20% SMD | 电容：120µF 额定电压：2V 容差：±20% 寿命... | |
| SPA121M06B | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | 2917（7343 公制） | 0+1150 | CAP ALUM 120UF 6.3V 20% SMD | 电容：120µF 额定电压：6.3V 容差：±20% ... |
| SPA11N65C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 11A TO-220 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPA11N60CFD | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SPA11N60C3 | Infineon Technologies | TO-220-3 整包 | MOSFET N-CH 650V 11A TO220FP | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
