收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPA08N80C3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SPA08N80C3

Infineon Technologies TO-220-3 整包 2653
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 800V 8A TO220FP
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPA08N80C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPA101M04B Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 100UF 4V 20% SMD 电容:100µF 额定电压:4V 容差:±20% 寿命...
SPA101M04R Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 100UF 4V 20% SMD 电容:100µF 额定电压:4V 容差:±20% 寿命...
SPA101M0EB Cornell Dubilier Electronics (CDE) 2917(7343 公制) CAP ALUM 100UF 2.5V 20% SMD 电容:100µF 额定电压:2.5V 容差:±20% ...
SPA08N50C3 Infineon Technologies TO-220-3 整包 26435 MOSFET N-CH 560V 7.6A TO220FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPA08B C&K Components 339 SWITCH SIP SPST 8POS VERT UNSLD ...
SPA08AB C&K Components 60 SWITCH SIP SPST 8POS R/A UNSLD ...

SPA08N80C3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):650 毫欧 @ 5.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 470µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1100pF @ 100V
功率 - 最大值:40W
安装类型:通孔

最近更新

型号类别