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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SPA06N80C3
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SPA06N80C3

Infineon Technologies TO-220-3 整包 26458 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
参考包装数量:500
参考包装形式:管件

与SPA06N80C3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SPA07N60C3 Infineon Technologies TO-220-3 整包 3974 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPA07N60CFD Infineon Technologies TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 6.6A TO220-FP FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPA07N65C3 Infineon Technologies TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 7.3A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPA06N60C3 Infineon Technologies TO-220-3 整包 681 MOSFET N-CH 650V 6.2A TO-220 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SPA06B C&K Components 458 SWITCH SIP SPST 6POS VERT UNSLD ...
SPA06AB C&K Components 723 SWITCH SIP SPST 6POS R/A UNSLD ...

SPA06N80C3参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):800V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):900 毫欧 @ 3.8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):41nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):785pF @ 100V
功率 - 最大值:39W
安装类型:通孔

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