收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SN7002NL6433
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SN7002NL6433

Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23
参考包装数量:10000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SN7002NL6433相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SN7002WE6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SN7002WE6433 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SN7002WL6327 Infineon Technologies SC-70,SOT-323 MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-323 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SN7002NL6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 165123 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SN7002NH6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SN7002NE6433 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-23 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SN7002NL6433参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):200mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 26µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):45pF @ 25V
功率 - 最大值:360mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别