收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > 晶体管(BJT) - 阵列 > SMBT3904PNE6327
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SMBT3904PNE6327

Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:TRANSISTOR ARRAY NPN/PNP SOT-363
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SMBT3904PNE6327相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SMBT3904PNH6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS ARRAY NPN/PNP 40V SOT363 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压...
SMBT3904SE6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANSISTOR ARRAY NPN SOT-363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
SMBT3904SH6327 Infineon Technologies 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS ARRAY NPN 40V 200MA SOT363 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
SMBT3904E6433 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR ARRAY NPN SOT-23 晶体管类型:2 NPN(双) 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电...
SMBT3904E6327 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3000 TRANS NPN 40V SOT-23 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA 电压 - 集...
SMBT3904DW1T1G ON Semiconductor DIODE STD REC SC88 ...

SMBT3904PNE6327参数资料

PDF资料下载:

晶体管类型:NPN,PNP
电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大):40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):400mV @ 5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大):-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 10mA,1V
功率 - 最大:250mW
频率 - 转换:250MHz
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别