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SIS890DN-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8
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简述:MOSFET N-CH 100V D-S 1212-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SIS890DN-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):30A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):23.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):29nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):802pF @ 50V
功率 - 最大值:52W
安装类型:表面贴装

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