| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIS410DN-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 69000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIS412DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 6000 | MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| SIS414DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3000 | MOSFET N-CH 30V 1212-8 PPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIS424DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 1212-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SIS407DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 12000 | MOSFET P-CH 20V 1212-8 PPAK | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIS406DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 3000 | MOSFET N-CH D-S 30V 1212-8 PPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIS402DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? 1212-8 | 9000 | MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
