收藏本站

闂傚倷娴囧畷鍨叏閹惰姤鈷旂€广儱顦崹鍌氣攽閸屾簱鍦玻濡や焦鍙忔俊鐐额嚙娴滈箖姊虹拠鈥虫灕濠殿喓鍊濋獮蹇涘川閺夋垹顦ㄥ銈呯箰閹冲寮搁弮鍫熲拻濞达絿鎳撻婊堟煕閹邦剦鐓兼鐐茬箻閺佹捇鏁撻敓锟�0755-83217923 闂傚倸鍊风粈渚€骞夐敍鍕灊鐎光偓閸曨偄鐝樺銈嗗笒鐎氼剟宕归崒娑氱瘈濠电姴鍊绘晶鏇犵棯椤撴稑浜鹃梻鍌欑劍閸庡啿霉濮樿泛纾婚柛娑欘劃閸ヮ亶妲婚梻鍥ь槹缁绘繆顦查柣蹇旂箞閸┾偓妞ゆ帊鑳跺ú鎾煙椤栨艾鏆i柡浣规崌閺佹捇鏁撻敓锟�
首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIR474DP-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIR474DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 闂傚倸鍊烽悞锕€顪冮崹顕呯唵闁逞屽墰缁辨帡骞撻幒婵堝悑闂佽鍨悞锔剧矉閹烘柡鍋撻敐搴′簼婵炲懏鐗犲铏规崉閵娿儲鐝㈤梺鐟板殩閹凤拷0755-83217923
询价QQ:闂傚倸鍊风粈渚€骞夐敍鍕灊鐎光偓閸曨偄鐝樺銈嗗笒鐎氼剟宕归崒娑氱瘈濠电姴鍊绘晶鏇犵棯椤撴稑浜鹃梻鍌欑劍閸庡啿霉濮樿泛纾婚柛娑欘劃閸ヮ亶妲婚梻鍥ь槹缁绘繆顦查柣蹇旂箞閸┾偓妞ゆ帊鑳跺ú鎾煙椤栨艾鏆i柡浣规崌閺佹捇鏁撻敓锟�
简述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIR474DP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIR476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 8401 MOSFET N-CH 25V 60A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR484DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR492DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 9000 MOSFET N-CH 12V 40A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 8419 MOSFET N-CH 30V 20A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 12000 MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR468DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 5830 MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIR474DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):9.5 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):985pF @ 15V
功率 - 最大值:29.8W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别