型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIR412DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N-CH 25V 8-SOIC 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SIR414DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | MOSFET N-CH D-S 40V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR416DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2896 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR418DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 40V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... | |
SIR410DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 200 | MOSFET N-CH D-S 20V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR408DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | MOSFET N-CH 25V 8-SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |
SIR406DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH D-S 25V PPAK 8SOIC | FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压... |