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SIR404DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 5295
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简述:MOSFET N-CH D-S 20V 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SIR404DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):97nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8130pF @ 10V
功率 - 最大值:104W
安装类型:表面贴装

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