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SIR172DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8
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简述:MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIR172DP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIR204-A Everlight Electronics Co Ltd 径向 2990 LED IR 3MM GAA1AS BLUE RADIAL 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:6....
SIR204C Everlight Electronics Co Ltd 径向 2295 LED IR 3MM GAA1AS WATER CLR AXL 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:6....
SIR234 Everlight Electronics Co Ltd 径向 3985 LED IR 3MM WATER CLEAR RADIAL 电流 - DC 正向(If):100mA 辐射强度(le)最小值@正向电流:9....
SIR168DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V PPAK 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR166DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIR164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 3000 MOSFET N-CH D-S 30V 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIR172DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):20A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):8.9 毫欧 @ 16.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):997pF @ 15V
功率 - 最大值:29.8W
安装类型:表面贴装

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