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SIHP5N50D-E3

Vishay Siliconix TO-220-3
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简述:MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
参考包装数量:1000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SIHP5N50D-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):500V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.5 欧姆 @ 2.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):325pF @ 100V
功率 - 最大值:104W
安装类型:通孔

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