| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIHD3N50D-GE3 |
Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 50 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIHD5N50D-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 3000 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 DPK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHD7N60E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 | 2805 | MOSFET N CH 600V 7A TO-252 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHF10N40D-E3 | Vishay Siliconix | TO-220-3 整包 | 15 | MOSFET N-CH 400V 10A TO-220 FPAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB30N60E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 995 | MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB24N65E-GE3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 1000 | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIHB24N65E-E3 | Vishay Siliconix | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB | 43 | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
