收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIE876DF-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIE876DF-T1-GE3

Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 60V POLARPAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIE876DF-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) 3000 MOSFET N-CH 25V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE882DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET N-CH D-S 25V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIF902EDZ-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? 2x5 MOSFET N-CH 20V 2X5 6-POWERPAK FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SIE874DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET N-CH 20V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) 3000 MOSFET N-CH D-S 40V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(U) 646 MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIE876DF-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):6.1 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):77nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3100pF @ 30V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别