收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIE822DF-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIE822DF-T1-E3

Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIE822DF-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S) 740 MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE830DF-T1-E3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SIE830DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SIE820DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S) 750 MOSFET N-CH D-S 20V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE820DF-T1-E3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET N-CH 20V 50A 10-POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SIE818DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) 9001 MOSFET N-CH D-S 75V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIE822DF-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):50A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 18.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):78nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4200pF @ 10V
功率 - 最大值:104W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别