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SIE808DF-T1-E3

Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) 1330
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简述:MOSFET N-CH 20V 60A 10-POLARPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SIE808DF-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):155nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):8800pF @ 10V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装

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