收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIE802DF-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIE802DF-T1-E3

Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK
参考包装数量:1
参考包装形式:

与SIE802DF-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIE802DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE804DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(SH) MOSFET N-CH D-S 150V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE806DF-T1-E3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE800DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE800DF-T1-E3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(S) MOSFET N-CH 30V 50A 10-POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIE726DF-T1-GE3 Vishay Siliconix 10-PolarPAK?(L) MOSFET N-CH D-S 30V POLARPAK FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIE802DF-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):60A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):1.9 毫欧 @ 23.6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7000pF @ 15V
功率 - 最大值:125W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别