收藏本站

闂傚倸鍊峰ù鍥х暦閸偅鍙忛柟鎯板Г閳锋梻鈧箍鍎遍ˇ顖炲垂閸屾埃鏀介柛灞剧氨閸︻厾鐜绘俊銈勭劍閸欏繑淇婇悙棰濆殭濞存粓绠栧铏规嫚閳ヨ櫕鐏曟繝娈垮枔閸婃繈鐛箛娑樺窛闁哄鍨归ˇ銊ヮ渻閵堝懐绠伴柟鍐差樀瀵悂寮崼鐔叉嫽婵炶揪绲块幊鎾活敋濠婂牊鐓曢柟閭﹀墻閻撳吋顨ラ悙鑼闁轰焦鎹囬弫鎾绘晸閿燂拷0755-83217923 闂傚倸鍊搁崐椋庣矆娓氣偓楠炲鏁嶉崟顐㈢亰閻庡厜鍋撻柛鏇ㄥ亜閻濇ê顪冮妶鍡楃瑨閻庢凹鍓熷畷褰掑磼濞戞氨鐦堟繝鐢靛Т閸婄粯鏅堕弴鐘垫/妞ゆ挻绋戞禍楣冩⒒閸屾瑧鍔嶉柛搴″暱闇夋慨妯挎硾绾惧鏌涘☉娆樺妰闁搞儺浜跺Σ濠氭⒒閸パ屾Ч缂佺粯绻嗛ˇ鏌ユ煟韫囨梻绠為柛鈹惧亾濡炪倖甯婇懗璺好洪幘顔界厵妞ゆ牗鑹鹃弳锝夋煛娴h宕岄柡浣规崌閺佹捇鏁撻敓锟�
首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIB417DK-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIB417DK-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
询价QQ:闂傚倸鍊搁崐椋庣矆娓氣偓楠炲鏁嶉崟顐㈢亰閻庡厜鍋撻柛鏇ㄥ亜閻濇ê顪冮妶鍡楃瑨閻庢凹鍓熷畷褰掑磼濞戞氨鐦堟繝鐢靛Т閸婄粯鏅堕弴鐘垫/妞ゆ挻绋戞禍楣冩⒒閸屾瑧鍔嶉柛搴″暱闇夋慨妯挎硾绾惧鏌涘☉娆樺妰闁搞儺浜跺Σ濠氭⒒閸パ屾Ч缂佺粯绻嗛ˇ鏌ユ煟韫囨梻绠為柛鈹惧亾濡炪倖甯婇懗璺好洪幘顔界厵妞ゆ牗鑹鹃弳锝夋煛娴h宕岄柡浣规崌閺佹捇鏁撻敓锟�
简述:MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIB417DK-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIB417EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIB422EDK-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L 3000 MOSFET N-CH D-S 20V SC-75-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SIB415DK-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L 7851 MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIB414DK-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L 3000 MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SIB413DK-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-75-6L MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

SIB417DK-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:点击下载PDF文档

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):52 毫欧 @ 5.6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):12.75nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):675pF @ 4V
功率 - 最大值:13W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别