收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SIA850DJ-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIA850DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 190V 950MA SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIA850DJ-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIA906EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET DUAL N-CH 20V 4.5A SC70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SIA910EDJ-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET N-CH 12V ESD SC-70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SIA911ADJ-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC70-6 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SIA814DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 3000 MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SIA813DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SIA811DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 双 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6 FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

SIA850DJ-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):190V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):950mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):3.8 欧姆 @ 360mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):90pF @ 100V
功率 - 最大值:7W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别