| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SIA456DJ-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 43961 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 200V 2.6A SC70-6 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SIA461DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET P-CH 20V 12A SC706L | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| SIA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | 2694 | MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SIA513DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SIA450DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SIA450DJ-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | 12000 | MOSFET N-CH 240V 1.52A SC70-6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| SIA448DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 | MOSFET N-CH 20V D-S SC70-6L | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
