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SIA430DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SC-70-6 39000
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简述:MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SIA430DJ-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):12A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):13.5 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):800pF @ 10V
功率 - 最大值:19.2W
安装类型:表面贴装

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