收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI9407BDY-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI9407BDY-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 52959
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:

与SI9407BDY-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI9410BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI9410BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH D-S 30V 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI9410DY,518 NXP Semiconductors 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 7A SOT96-1 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI9407BDY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 60V 4.7A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI9243AEY-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SINGLE-ENDED BUS TXRX 8SOIC 类型:总线收发器 驱动器/接收器数:1/2 规程:ISO 9141 电源电压:4...
SI9243AEY-T1 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC SINGLE-ENDED BUS TXRX 8SOIC 类型:总线收发器 驱动器/接收器数:1/2 规程:ISO 9141 电源电压:4...

SI9407BDY-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):120 毫欧 @ 3.2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):22nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):600pF @ 30V
功率 - 最大值:5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别