收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI8497DB-T2-E1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI8497DB-T2-E1

Vishay Siliconix 6-UFBGA
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH D-S 30V MICROFOOT
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI8497DB-T2-E1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI8499DB-T2-E1 Vishay Siliconix 6-MICRO FOOT? 9000 MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
SI84XXCOM-RD Silicon Laboratories Inc 2 KIT EVAL FOR SI84XXCOM ...
SI84XXISO-KIT Silicon Laboratories Inc 3 KIT EVAL FOR SI84XXISO ...
SI8487DB-T1-E1 Vishay Siliconix 4-UFBGA MOSFET P-CH 30V (D-S) MICROFOOT FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI8475EDB-T1-E1 Vishay Siliconix 4-XFBGA,CSPBGA MOSFET P-CH 20V MICROFOOT FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI8473EDB-T1-E1 Vishay Siliconix 4-XFBGA,CSPBGA MOSFET P-CH D-S 20V MICROFOOT FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI8497DB-T2-E1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):13A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):53 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):49nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1320pF @ 15V
功率 - 最大值:13W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别