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SI8451DB-T2-E1

Vishay Siliconix 6-MICRO FOOT? 闂傚倷鐒﹀鍨熆閳ь剛绱掗幓鎺濈吋闁诡垯鐒︾粋鎺斺偓锝庡亝濞呮牠姊虹捄銊ユ珢闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI8451DB-T2-E1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI8452AA-A-IS1 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:3/2 通道数:5 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...
SI8452AA-A-IS1R Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:3/2 通道数:5 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...
SI8452AA-B-IS1 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ISOLATOR 5CH 5.5V 16-SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:3/2 通道数:5 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...
SI8451BB-B-IS1 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ISOLATOR 5CH 5.5V 16-SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:4/1 通道数:5 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...
SI8451BB-A-IS1R Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:4/1 通道数:5 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...
SI8451BB-A-IS1 Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ISOLATOR DGTL 5CH 16SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:4/1 通道数:5 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...

SI8451DB-T2-E1参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):10.8A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):80 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):24nC @ 8V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 10V
功率 - 最大值:13W
安装类型:表面贴装

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