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SI8429DB-T1-E1

Vishay Siliconix 4-XFBGA,CSPBGA 126000
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简述:MOSFET P-CH 8V 11.7A 2X2 4-MFP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI8429DB-T1-E1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):11.7A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):35 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):800mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1640pF @ 4V
功率 - 最大值:6.25W
安装类型:表面贴装

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