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首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI8415DB-T1-E1
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SI8415DB-T1-E1

Vishay Siliconix 4-XFBGA,CSPBGA 21000 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923
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简述:MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI8415DB-T1-E1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI8415DB-T1-E1参数资料

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FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):5.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):37 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):30nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.47W
安装类型:表面贴装

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