收藏本站

首页 > 分立半导体产品 > FET - 单 > SI8409DB-T1-E1
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI8409DB-T1-E1

Vishay Siliconix 4-XFBGA,CSPBGA 9000
询价QQ:
简述:MOSFET P-CH 30V 4.6A 2X2 4-MFP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI8409DB-T1-E1相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI840XI2C-KIT Silicon Laboratories Inc 4 KIT EVAL FOR SI840X ...
SI8410AB-D-IS Silicon Laboratories Inc 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC ISOLATOR 1CH 5.5V 8-SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:1/0 通道数:1 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...
SI8410AD-A-IS Silicon Laboratories Inc 16-SOIC(0.295",7.50mm 宽) 49 ISOL DGTL 5KVRMS 1CH 16SOIC 输入 - 1 侧/2 侧:1/0 通道数:1 电源电压:2.7 V ~ 5.5 ...
SI8407DB-T2-E1 Vishay Siliconix 6-MICRO FOOT?CSP MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 6-MFP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI8406DB-T2-E1 Vishay Siliconix 6-UFBGA MOSFET N-CH 20V D-S MICROFOOT FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
SI8405DB-T1-E3 Vishay Siliconix 4-XFBGA,CSPBGA MOSFET P-CH 12V 3.6A 2X2 4-MFP FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

SI8409DB-T1-E1参数资料

PDF资料下载:

FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):4.6A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):46 毫欧 @ 1A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):26nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.47W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别